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基于ADC适合于蓝牙射频电路的测试方法

电子设计 ? 2019-05-31 08:14 ? 次阅读

随着社会的发展,无线通信已成为日益重要的信息传递方式。伴随着深亚微米CMOS工艺的成熟,采用蓝牙技术接收发送射频电路已可实现单片集成。然而,一个好的射频接收发送芯片必须?#33455;?#21487;能低的成本和优良的性能,后者通常需要通过合适的测试方法来检测和保证。在传统的设计流程中,往往在芯片设计接近?#37319;?#30340;时候才会考虑到可测性设计。再加上射频电路本身难以测试的特点,不佳的可测性设计不但会大大增加后期芯片测试验证的难度,还会使得芯片的整体制作成本显著升高。为了能有效控制测试成本,必须在设计开始阶段就考虑?#20302;?#30340;可测性,甚至在确定?#20302;?#26550;构和规范之前,就应将各种可测性问题、测试设备的成本以及测试所需要的时间考虑在内。通过对?#20302;?#26550;构和规范的调整,合理的可测性设计可以内嵌于?#20302;?#20043;中,这样不仅可以有效控制因测试而导致的硬件成本增加,而?#19968;?#22823;大提升了芯片的可测性。

本文介绍了一种基于蓝牙射频电路可测试性设?#39057;?位逐次逼近型ADC,该电路结构简单紧凑,功耗较低,专门针对将可测性设计嵌入?#20302;?#26550;构而设计。通过ADC可以方便地检测蓝牙电路中各模块的直流工作点,在输入中加以简单的激励信号,还可以对部分模块的性能参数予以检测。该方法使得芯片的可测性问题变得易于实现,并且只是有限地增加了芯片的整体硬件成本。

ADC的体系结构

针对可测性的设计,本文中的ADC体系结构示意图如图1所示。

基于ADC适合于蓝牙射频电路的测试方法

图1 ADC体系结构

整个电路工作原理比较简单:由数字电路组成的逐次逼近寄存器和控?#39057;?#36335;将DAC每位依次置1?#20445;珼AC的输出值与输入模拟电压通过比较器进行比较,并确定“1”是否保留。当8位完全确定后,就可以得到一个最逼近输入模拟电压的数?#31181;怠?#19982;传统的逐次逼近型ADC的不同之处在于,为了能对多路信号进行测试,用一个十六选一的选择器代替原本的采样保持电路,在?#20302;砈CI总线控制下,可以选择不同通道的信号进行测试。

rail-to-rail输入比较器和R-2R网络DAC的设计

比较器设计

由于测试信号本身幅度的关系,ADC的动态输入?#27573;?#24517;须在0~3.3V,为此,在本设计中对比较器采用了rail-to-rail的输入设计。图2是比较器的电路图。

基于ADC适合于蓝牙射频电路的测试方法

图2 rail-to-rail输入比较器

该比较器电路由22个MOS晶体管构成。电路采用折叠对称结构,P9、N12作为开关控?#39057;?#36335;的偏置电流。对于PMOS差分对,其共模输入?#27573;CM可表示为:

基于ADC适合于蓝牙射频电路的测试方法

式中VCM为共模输入电平,VDD为电源电压,Vdsat为差分输入级?#24615;?#28431;饱和压降,Vgsp为PMOS输入管的栅源电压。同理,对于NMOS差分对,其共模输入?#27573;?#21487;表示为:

基于ADC适合于蓝牙射频电路的测试方法

式中Vgsn为NMOS输入管的栅源电压。将上述PMOS和NMOS差分对并联起来,则整个电路的共模输入?#27573;?#21487;写成:

基于ADC适合于蓝牙射频电路的测试方法

从而实现了输入级的rail-to-rail,工作电压的最小值为:

基于ADC适合于蓝牙射频电路的测试方法

当共模输入电平接近VDD或0?#20445;?#21482;有NMOS或PMOS差分输入对处于放大状态;当共模输入电平处于中间状态?#20445;琍MOS和NMOS差分对?#21363;?#20110;放大状态。因此,比较器的增益可以表示成:

基于ADC适合于蓝牙射频电路的测试方法

N管和P管跨导的叠加,可以大大提高增益,从而使得比较器的精度也显著提高。但是当共模输入电平从0到VDD变化?#20445;?#24635;的等效跨导gmeff变化很大,会使电路的单位增益带宽受到一定影响。

比较器的?#30452;?#29575;还与差分输入对的失调电压有很大关系,在现在的CMOS工艺中,一般为几~几十毫伏,这会?#29616;?#24433;响比较器的精度。一般失调可分为?#20302;?#22833;调和随机失调,前者可以通过采用合适的结构来消除;后者由于受工艺条件限制,往往较难避免。以N管差分对为例,随机失调可近似表示如下:

基于ADC适合于蓝牙射频电路的测试方法

通常人们使用数?#20013;?#27491;,自动补偿等方法来减少失调,但这样会引入额外的硬件消耗和功耗。为了降低成本,便于实现,本设计主要通过对管子的优化设计来减少随机失调。在式(6)中(VGS-VT)n、(VGS-VT)p?#30452;?#20026;N管和P管的有效偏置,ΔVTn、Δβn和ΔβP都跟√WL成反比。显然采用较大的管子面积,较小的输入管(VGS-VT)和较大的负载管(VGS-VT)可以有效减少失调。因此,在设计中,差分输入对都取了较大的尺寸,并通过设置合适的工作点,使得输入管的(VGS-VT)保持在0.2V左右。

在版图设计时,则采用几何共中心的交叉结构,使得差分输入对尽可能对称,并且添加了Dummy管,?#26500;?#23376;的周边环境保持相同。此外,在比较器的输出端还增加了两个反向器,使得高低电平?#30452;?#36235;向于VDD和0仿真结果显示,仅用一级放大的比较器增益可达52dB,最小?#30452;?#29575;达4mV,足以满足蓝牙射频电路可测性设?#39057;?#35201;求。

DAC设计

为了使电路尽可能的简单,本设计中DAC采用经典的R-2R梯形网络结构。由于整个ADC内嵌入蓝牙接收发送?#20302;常?#30005;路的参考电压可由公共通道中的带隙基准源统一提供,这样既减少了ADC的功耗,?#30452;?#35777;了精度.R-2R网络的最大缺点是由于工艺制作中存在的偏差,诸如?#21448;?#25193;散,温度漂?#39057;?#38382;题会使得电阻的阻值产生一定误差。通常多晶硅电阻可以做到较为精确,但由于在本工艺中该方块电阻只有2欧姆左右,会使得面积太大。而阱电阻虽然方块电阻很大,但精度较差。因此,在考虑面积和性能折衷的情况下,我们选用受工艺因素影响相对较小的P型扩散电阻,其方块电阻为153欧姆。单位电阻条宽取为5μm.该电阻受扩散腐蚀引起的误差可由下式计算:

基于ADC适合于蓝牙射频电路的测试方法

式中etch,vc1和vc2都是工艺提供的参数。通过计算可知由工艺产生的电阻值绝对误差虽然有15%左右,但相对1μm或2μm的工艺,采用TSMC0.35μm的工艺,在5μm条宽的情况下,可以将相对误差做到±0.4%以内。同?#20445;?#22312;版图设计时采用单位电阻及增加Dummy填充电阻的方法,可以有效地提高R-2R网络中电阻的匹配性,从而满足8位的精度要求。

ADC在蓝牙射频电路中的可测性应用

测试芯片是否符合设计规范有两种方法:即基于构成?#20302;?#30340;独立模块级的测试和?#20302;?#32423;的测试。本设计综合两者优点,将测试内嵌于接发器架构中,通过一个结构简单,实现容易的ADC,就可完成芯片部分功能的测试。

ADC的应用有两方面:第一用于检测各模块的直流工作点。在电路工作?#20445;?#39640;频信号的干扰及其他因素会影响带隙基准源的准确性。一旦偏置电压或偏置电流不准,会直接导致各模块不能正常工作。通过ADC的多通道就能直接检测各模块的直流工作点。第二用于测试一些在高频情况下无法直接测得的性能参数,如信号幅度、噪声等。通过输入简单的激励信号,可以将被测参数转为直流电平,经模数转化后就可方便读出。例如可以用ADC检测蓝牙射频接收通道中的带通滤波器是否符合图3所示的蓝牙协议定义的滤波器的部?#31181;?#26631;。将图中特殊点的信号幅度用直流电平表示,通过ADC的模数转换,就可以方便地观测到不同点的衰减是否符合要求。但是,在2MHz和3MHz频?#36866;保?#20449;号幅度很小且很接近,给观测带来困难。这种情况可以通过调节自动增益控制,适当增加增益,使信号幅度增大且易于区分,但要求不能使ADC饱和。

基于ADC适合于蓝牙射频电路的测试方法

图3滤波器性能

测试结果

图4是ADC的芯片照片,该芯片由0.35μm标准CMOS工艺制造,芯片面积是0.5mm×0.3mm.

基于ADC适合于蓝牙射频电路的测试方法

图4ADC芯片照片

表1给出了蓝牙射频电路中带隙基准源,带通滤波器以及低噪放的理想直流工作电压与经ADC测试到的值,从中可以看到ADC的精度基本达到要求。表2给出了ADC的总体性能指标。

基于ADC适合于蓝牙射频电路的测试方法

基于ADC适合于蓝牙射频电路的测试方法

结论

本文设计了基于蓝牙射频电路可测性设?#39057;?位逐次逼近型ADC.芯片测试结果显示,在3.3V工作电压下,ADC的?#30452;?#29575;可达7位。在设计中,输入级采用rail-to-rail结构,利用PMOS差分对和NMOS差分对并联的方法有效提高了电路的共模输入?#27573;А?#36890;过对比较器电路和版图的优化设计使失调影响减到最小,大大提高了精度。针对可测性设?#39057;?#35201;求,整个电路结构简单,易于实现,与同种功能ADC相比,芯片面积较小,仅0.5mm×0.3mm,功耗也较低。该ADC可以方便地内嵌入蓝牙射频电路的体系结构中,以用于检测各模块电路的部分功能与性能,这样的可测性设计,在使射频电路变得易于测试的同?#20445;?#20063;大大减少了测试成本。由于在版图设计中较好地采用了隔离技术,电路在2.4GHz的高频环境下正常工作,表现出了良好的抗干扰能力。另一方面,测试结果显示ADC实?#31034;?#24230;为7位,第8位在测试时跳动不确定,造成该结果的原因可能是由于参考电压对地有一定波动并且比较器的输入存在失调。在今后的工作中,将采用比较器的输入失调电压补偿等技术,使得电路和版图进一?#25509;?#21270;,从而使结果更理想。同?#20445;?#24590;样更好地利用ADC进行蓝牙射频电路的可测性?#33455;?#20063;将成为下一步?#33455;?#30340;工作.

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“后摩尔时代”随着先进工艺瓶?#36924;?#30340;到来,晶圆代工巨头台积电、三星和英特尔将战场?#30001;?#21040;了先进封装领域。
的头像 DIGITIMES 发表于 06-26 15:08 ? 715次 阅读
7nm自研芯片“秀肌肉”,台积电:?#30828;?#19982;?#31361;?#31454;争

台积电发布自研芯片,把最好的 7nm留给了自己!

台积电近期可谓接连遭遇阵痛,三星抢走高通大单,华为减产,存储市场进展失利。
的头像 半导体行业联盟 发表于 06-26 14:48 ? 294次 阅读
台积电发布自研芯片,把最好的 7nm留给了自己!

深度学习已至“瓶颈?#20445;?#33521;特尔表示数据处理是一?#20142;家?/a>

霍金弟子Alan Yuille在?#23433;?#20037;发表言论称,至少在计算机视觉领域,深度学习的瓶颈已至。然而,人....
的头像 AI科技大本营 发表于 06-26 11:30 ? 347次 阅读
深度学习已至“瓶颈?#20445;?#33521;特尔表示数据处理是一?#20142;家? />    </a>
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台积电自己设计出小芯片This 开发LIPINCON互连技术

台积电近期可谓接连遭遇阵痛,三星抢走高通大单,华为减产,存储市场进展失利。
的头像 PCB行业工程师技术交流 发表于 06-26 11:11 ? 651次 阅读
台积电自己设计出小芯片This 开发LIPINCON互连技术

台积电自主设?#39057;腁rm芯片 This 面世,常用目前最先进 7nm制程工艺!

目前,台积电7nm制程工艺主要被AMD第三代锐龙平台使用,并且帮助锐龙处理器在主频上?#39134;?#20102;英特尔。
的头像 旺材芯片 发表于 06-26 09:39 ? 300次 阅读
台积电自主设?#39057;腁rm芯片 This 面世,常用目前最先进 7nm制程工艺!

华为控制器芯片的迭代发展历程

众所周知,大脑是人体神经?#20302;?#20013;最高级的部分,支配着人体的一切生命活动。那么对于固态硬盘 SSD 来说....
的头像 华为智能计算 发表于 06-26 08:46 ? 272次 阅读
华为控制器芯片的迭代发展历程

助力AI算法芯片化 新思科技推出ASIP Designer

针对AI算法厂商?#36861;?#23558;算法芯片化的趋势,近期,全球知名的EDA工具厂商新思科技(Synopsys)推....
的头像 新思科技 发表于 06-26 08:41 ? 676次 阅读
助力AI算法芯片化 新思科技推出ASIP Designer

ETA9640完全集成的电源管理芯片数据手册免费下载

ETA9640是一个完全集成的电源管理单元,专门为电源组、移动充电器、备用电池充电器应用而设计。它由....
发表于 06-26 08:00 ? 41次 阅读
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几款高性价比电机驱动芯片

直流电机驱动多种多样,但是驱动原理却是恒定不变的。电机速度的调控总的来说有三种:弱磁升速,调压调速和....
发表于 06-25 17:00 ? 92次 阅读
几款高性价比电机驱动芯片

?#35775;?#25110;再次对高通处以反垄?#25103;?#27454;

据彭博社报道,三位熟知内情的消息人士透露,?#35775;?#21487;能会再次对高通处以反垄?#25103;?#27454;。在一年以前,高通已经由....
的头像 半导体动态 发表于 06-25 16:47 ? 372次 阅读
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英伟达和高通为何考虑转向三星 有哪些要素将影响芯片巨头对代工厂商的抉择

近日有消息称,英伟达下一代安培架构GPU及高通下一代处理器将采用三星7nm EUV工艺,三星或将打破....
的头像 半导体动态 发表于 06-25 16:41 ? 618次 阅读
英伟达和高通为何考虑转向三星 有哪些要素将影响芯片巨头对代工厂商的抉择

聚灿光电:LED芯片行业竞争加剧,产品价格大幅下滑

6月24日消息,聚灿光电发布2018年?#23548;?#25253;告,公?#23621;?#19994;收入55871.89万元,同比下降10.02....
的头像 半导体投资联盟 发表于 06-25 15:15 ? 451次 阅读
聚灿光电:LED芯片行业竞争加剧,产品价格大幅下滑

BGA焊台的作用及焊接时的注意事项?#24471;?/a>

BGA焊台一般也叫BGA返修台,它是应用在BGA芯片有焊接问题或者是需要更换新的BGA芯片时的专用设....
的头像 牵手一起梦 发表于 06-25 14:39 ? 365次 阅读
BGA焊台的作用及焊接时的注意事项?#24471;? />    </a>
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台积电自?#34892;?#33455;片 This面世,使用最好的 7nm工艺

在本月初于日本东京举办的VLSI Symposium(超大规模集成电路研?#21482;幔?#26399;间,台积电展示了自己....
的头像 中国半导体论坛 发表于 06-25 14:24 ? 543次 阅读
台积电自?#34892;?#33455;片 This面世,使用最好的 7nm工艺

SKG12UR高精度定位模组的数据手册免费下载

SKG12UR 定位模组,集成单频算法,同时支持 BDS、GPS 双星?#20302;常?#37197;合全国?#20493;?#22686;强网的高精....
发表于 06-25 08:00 ? 37次 阅读
SKG12UR高精度定位模组的数据手册免费下载

受中美贸易和DRAM跌价影响 SK海力士将放?#21644;?#20135;计划

据报道,由于中美贸易摩擦愈演愈烈,韩国内存芯片大厂SK海力士有意放缓在中国工厂的投产计划。
的头像 芯闻社 发表于 06-24 17:21 ? 791次 阅读
受中美贸易和DRAM跌价影响 SK海力士将放?#21644;?#20135;计划

三星电子将加强新一代神经网处理装置技术 如果有必要也可以实行大型并购

韩媒称,像人一样执行各种业务的“人工智能秘书?#20445;型?#22312;3年至5年内实现商用化。看起?#27492;?#28982;简单,但人工....
的头像 半导体动态 发表于 06-24 17:13 ? 554次 阅读
三星电子将加强新一代神经网处理装置技术 如果有必要也可以实行大型并购

NI推出mmWave测试解决方案 加速5G商用进程

NI (美国国家仪器公司,National Instruments,简称 NI) ,是一家以软件为中....
的头像 恩艾NI知道 发表于 06-24 16:55 ? 526次 阅读
NI推出mmWave测试解决方案 加速5G商用进程

5年“烧”了500亿美元 台积电成为全球晶圆代工龙头

根据最新报告,台积电今年Q2季?#26085;季?#20102;全球晶圆代工市场份额的49.2%,一家就相当于其他所?#33455;?#22278;代工....
的头像 半导体那些事儿 发表于 06-24 16:44 ? 540次 阅读
5年“烧”了500亿美元 台积电成为全球晶圆代工龙头

台积电自研芯片亮相 采用7nm工艺最高主频为4GHz

台积电把最好的7nm留给了自己?
的头像 半导体动态 发表于 06-24 16:41 ? 692次 阅读
台积电自研芯片亮相 采用7nm工艺最高主频为4GHz

LED显示产?#30331;?#36947;下沉与产?#26041;导?#20132;互进行

近年来,中国LED显示屏市场有两个趋势最为明显:一是市场产品价格的下跌;二是渠道的进一?#36739;?#27785;;如今它....
的头像 LED显示渠道 发表于 06-24 16:22 ? 500次 阅读
LED显示产?#30331;?#36947;下沉与产?#26041;导?#20132;互进行

BAS16XV2 开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 引线表面处理:100%哑光锡(锡) 合格回流温度:260°C 极小型SOD-523封装 适用于汽车?#25512;?#20182;应用的S前?#28023;?#38656;要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 ? 2次 阅读
BAS16XV2 开关二极管

BAS16T 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 可提供无铅封装* 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 ? 2次 阅读
BAS16T 100 V开关二极管

BAS16W 100 V开关二极管

信息开关二极管设计用于超高速开关应用。该器件采用SC-70封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。 可提供无铅封装 适用于汽车?#25512;?#20182;应用的S前?#28023;?#38656;要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 ? 26次 阅读
BAS16W 100 V开关二极管

BAS16SL 小信号二极管

信息小信号二极管 低正向压降 快速开关 非常小的薄型 最大剖面高度为0.43mm 尺寸为1.0 x 0.6mm
发表于 04-18 19:14 ? 40次 阅读
BAS16SL 小信号二极管

BAS16P2 100 V开关二极管

信息 BAS16P2T5G开关二极管是我们广受欢迎的SOT-23三引线器件的衍生产品。它专为开关应用而设计,安装在SOD-923表面该封装非常适合低功率表面贴装应用,其中电路板空间非常宝贵。 极小的SOD-923封装
发表于 04-18 19:13 ? 30次 阅读
BAS16P2 100 V开关二极管

BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

信息 SOT-23封装中的开关二极管。 高 - 速度切换应用
发表于 04-18 19:13 ? 33次 阅读
BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

信息采用SOT-563封装的双开关二极管。 引脚表面处理:100%无光泽锡(锡) 合格回流焊温度:260°C 超小型SOD-523封装 适用于汽车?#25512;?#20182;应用的S前?#28023;?#38656;要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 ? 36次 阅读
BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

BAS116T 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SC-75表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 这些器件是无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准
发表于 04-18 19:13 ? 40次 阅读
BAS116T 75 V开关二极管

BAS16H 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽?#23548;?#20854;他应用的前?#28023;?#38656;要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 ? 42次 阅读
BAS16H 100 V开关二极管

BAS116L 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车?#25512;?#20182;应用的S前?#28023;?#38656;要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 ? 40次 阅读
BAS116L 75 V开关二极管

BAR43 肖特基二极管

信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 ? 44次 阅读
BAR43 肖特基二极管

BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 ? 53次 阅读
BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 ? 54次 阅读
BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 ? 48次 阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚?#24471;?#21644;功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 ? 40次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串?#22411;?#35774;接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串?#22411;?#20449;。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(?#26469;?#30721;)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度?#27573;?自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8?#27010;蘐DFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 ? 42次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串?#22411;?#35774;接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串?#22411;?#20449;。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(?#26469;?#30721;)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压?#27573;? SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度?#27573;? 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8?#27010;蘒DFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 ? 40次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串?#22411;?#35774;接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串?#22411;?#20449;。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压?#27573;? SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度?#27573;? PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8?#27010;?#23553;装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 ? 46次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串?#22411;?#35774;接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串?#22411;?#20449;。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压?#27573;? SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度?#27573;?符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8?#27010;蘐DFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 ? 52次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用?#20445;?#36890;过0.01μF电容去耦V 和V ,并限?#39057;?#27969;源或吸收至0.5mA。不使用?#20445;琕 应保持开路。复位引脚?#19988;?#27493;的,并在上升沿置位。上电?#20445;?#20869;部触发器将达到随机状态;复位?#24066;?#22312;?#20302;持型?#27493;多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作?#27573;В篤 = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作?#27573;В篤 = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
发表于 04-18 19:13 ? 42次 阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器
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